PS3-8　金属酸化物薄膜の作製と電気特性評価に関する研究

◎山本智彩（和歌山工業高等専門学校）

NiOなどの二元遷移金属酸化物薄膜において観測できる抵抗スイッチング現象は、電極間に導電性フィラメントが生成・消滅することにより生じる。 　電極間に導電性フィラメントが生成されると低抵抗となり、消滅すると高抵抗となる。 　膜表面に平行に導電性フィラメントを生成・消滅させることができれば、導電性フィラメントを薄膜表面から物理的に観察、評価することが可能であると考えられる。このためには、微小なギャップをもつ電極を作製する必要がある。 　本研究ではガラス基板上に溶液法により作製したNiO薄膜に、ポジレジストによるリフトオフプロセスで微細なAl上部電極を作製して、膜表面に平行な導電性フィラメントの検討をする。 　リフトオフプロセスに用いる条件は、タグチメソッドを利用したL<sub>18</sub>直交表による方法で決定した。