TC17-5　Cu電極/封止樹脂のハイブリッド接合によるデバイス積層技術

○酒井泰治，今泉延弘，作山誠樹（富士通研究所）

デバイス積層技術で、電流密度耐性の向上が期待されるCu-Cu接合について, 樹脂封止とCu-Cuの固相接続を同時に行うハイブリッド接合技術を開発。Cu電極の直接接合において上可欠となる酸化膜除去として、ドライ雰囲気処理が可能な蟻酸を選択し、蟻酸プロセスと樹脂封止とを両立できるプロセスを検証。予め封止樹脂とCu電極が形成されたデバイスを仮付し、その後、蟻酸雰囲気下で接合部へ蟻酸を浸透させることで、225℃の接合温度でCu端子同士の接合界面が消失するまでの固相拡散が実現することを明らかにした。