TC7-4　半導体デバイス微細化の諸問題

○遠藤和彦（産業技術総合研究所）

従来、LSIの高性能化と低消費電力化は、微細化（スケーリング）により両立されてきた。しかし、LSIの最小線幅が10 nm台に突入しつつある現在、より微細なパターンの形成は技術とコストの両面から極めて困難となっている。特に、寸法ばらつき及びそれ以外の要因からデバイスの特性ばらつきが増大し、更には微細加工自体も今後のEUV等の開発が困難を極めている。本報告では、この様なポストスケーリング世代におけるLSIの諸問題と、更なるLSIの性能向上と電力削減を可能にするための新技術について概説する。