電子デバイス/半導体電力変換合同研究会

テーマ：パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
開催日　2019年11月28日～2019年11月29日
会　場　東北大学　青葉記念会館
住　所　宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6
交　通　仙台市地下鉄東西線「青葉山」駅で下車（乗車時間９分、料金250円），センタースクエア（Cエリア）まで徒歩約10分。
　　　　詳細はMap Link をご参照ください。

プログラム

論文公募締切　締め切りました
原稿締切　　　2019年11月7日（木）※厳守
連絡事項　発表件数が多い場合、ポスター発表を導入する可能性があります。
共　催　IEEE Industry Applications Society Japan Chapter，IEEE Power Electronics Society Japan Chapter，IEEE IES Japan Joint Chapter，
協　賛　パワーデバイス・パワーＩＣ高性能化技術調査専門委員会（委員長　齋藤 渉），SiCとGaNと共に発展するパワーエレクトロニクスにおけるシステムインテグレーション技術調査専門委員会（委員長　三野和明）